Система ионной полировки, травления и напыления
Система ионной полировки, травления и напыления
Описание
Система ионной полировки, травления и напыления — универсальное решение для пробоподготовки образцов в электронной микроскопии и материаловедении. Оборудование сочетает в одной системе три ключевых процесса: ионное фрезерование и полировку, травление и напыление. Такой функционал позволяет эффективно подготавливать поверхность образцов для последующего структурного и фазового анализа.
Обработка ионным пучком обеспечивает более высокое качество поверхности по сравнению с традиционными методами подготовки. Установка помогает удалять искажённый атомарный слой, возникающий после механической полировки, а также поверхностные пленки, образованные химической обработкой. Благодаря этому исследователь получает более точную информацию о реальном состоянии поверхности образца, включая межзеренную ориентацию, различение фаз и размер зерна.
Особенности:
- 10″ цветной ЖК-сенсорный экран с встроенным компьютером и системой управления, простое меню, полностью автоматическая работа
- 2 независимо управляемых ионных пушки, большая рабочая зона 25 мм
- Возможность добавления специальных газов для реактивного травления ионным пучком
- Поддержка как поперечной, так и плоской полировки, поддержка напыления платины или золота
- Дистанционное управление через компьютер или мобильный телефон
Применение
Установка подходит для обработки практически всех типов твёрдых материалов, включая сплавы, полимерные материалы, минералы, полупроводники, керамику и мультифазные образцы. Гибкость настройки параметров позволяет адаптировать систему под широкий круг исследовательских и технологических задач.
Оборудование подходит для:
- Подготовка образцов для SEM-анализа
- Выявление межзеренной ориентации
- Фазовый анализ материалов
- Исследование размера и структуры зерна
- Удаление поверхностных дефектов и пленок
- Плазменная очистка и ионная обработка поверхности
Спецификация
- Ионно-лучевая установка 3в1;
- Встроенный компьютер и система управления;
- 2 диагональные ионные пушки;
Опции
- Расширение до 4 ионных источников
- Конфигурация двух ионных пушек под 90°
- Полупроводниковый охлаждаемый столик(от комнатной температуры до -25 °C)
- Охлаждение жидким азотом (-150°С)
- CCD-камера
- Микроскоп с большим увеличением и регулируемым фокусом
- Устройство быстрой смены образца (до 30-60 сек)
- Поддержка реактивного травления специальными газами (ксенон)
Характеристики
Диапазон напряжения
200~10000В
Ионные пушки
2 диагональные
Автофрезеровка
Угол фрезерования 0°~90°
Энергия ионного пучка
0~6 кВ (низкоэнергетическая фрезеровка)
0~10 кВ (высокоэнергетическое травление)
Напряжение ионного пучка
0-10 кВ
Ток ионного пучка
10 мА/см²
Регулируемый ионный пучок
0 ~ 10 мл/мин
Размер пятна пучка
300~500мкм и 1.5~2.5 мм
Скорость полировки
Макс. 500мкм/ч для кремния (разделение или точечное травление и полировка);
Макс. 100мкм/ч для кремния (плоское травление и полировка);
Макс. 10мкм/ч для кремния (планарное вращательное травление и полировка)
Размер образца
0~Ø25 мм
Ионы травления и полирования
Ионы аргона (ксенона-опционально)
Вращение столика
360°
Скорость вращения
6-10 об/мин
Вакуумная система
Механический и турбомолекулярный насос
Предельный вакуум
до 5×10⁻³ Па
Время вакуумирования для смены образца
2.5 минуты
10-дюймовый цветной сенсорный экран