Сканирующий электронный микроскоп Scietex CD-SEM для измерения критических размеров
Сканирующий электронный микроскоп Scietex CD-SEM для измерения критических размеров
Описание
CD-SEM (Critical Dimension Scanning Electron Microscope) — сканирующий электронный микроскоп, предназначенный для измерения критических размеров в микроэлектронике и полупроводниковой промышленности.
Scietex CD-SEM используется для контроля и измерения размеров элементов на поверхности полупроводниковых пластин, таких как ширина линий фоторезиста, ширина линий затвора, диаметры контактных отверстий и сквозных отверстий после процессов травления и других этапов производства.
6/8-дюймовый Scietex CD-SEM
Особенности:
- Передовые системы электронной оптики и алгоритмы обработки изображений.
- Совместимость с 6/8-дюймовыми пластинами.
- Высокоскоростная система переноса пластин.
- Подходит для чипов третьего поколения полупроводников
12-дюймовый Scietex CD-SEM
Особенности:
- Точные инструменты для оценки критических размеров, передовая электронная оптика, обработка изображений и системы переноса пластин обеспечивают высокое разрешение, высокую пропускную способность и высокую повторяемость прецизионных измерений.
- Улучшенная автоматическая калибровка обеспечивает стабильность устройства с течением времени.
- Новая технология измерений преодолевает метрологические вызовы в разработке передовых полупроводниковых процессов.
Обнаружение дефектов с помощью искусственного интеллекта позволяет автоматически локализовывать дефекты и определять их категории на основе извлеченных признаков изображения. - Автоматическое распознавание изображения повышает производительность
- Постоянное обучение модели для достижения непрерывной оптимизации
- Обнаружение более 50 типов дефектов с точностью до 98%
Применение
Материаловедение – анализ структуры металлов, сплавов, композитов, керамики и полимеров.
Электроника и нанотехнологии – контроль качества микросхем, нанопокрытий и микроструктур.
Металлургия и машиностроение – анализ изломов, дефектов, износа и коррозии поверхностей.
Спецификация
- Основной блок микроскопа
- Система охлаждения (чиллер) и сухая вакуумная помпа
- Монтаж и обучение операторов (включая удалённую поддержку при установке)
- Круглосуточная техническая поддержка в течение гарантийного периода (24/7)
Характеристики
Разрешение SEM
<5 нм
Ускоряющее напряжение
500 В — 1600 В
Ток пучка
3 пА — 30 пА
Диапазон измерений
0,1 ~ 2,0 мкм
Точность динамических измерений
3σ <= 2,0 нм
Производительность
20 пластин/час (5 точек/пластина)
Увеличение (Kx)
от 1 до 250
Исключение края пластины
<5 мм
Точность позиционирования стола
<±500 нм