info@scietex.ru +7 499 911 90 01

Сканирующий электронный микроскоп Scietex CD-SEM для измерения критических размеров

CD-SEM (Critical Dimension Scanning Electron Microscope) — сканирующий электронный микроскоп, предназначенный для измерения критических размеров в микроэлектронике и полупроводниковой промышленности.

Описание

CD-SEM (Critical Dimension Scanning Electron Microscope) — сканирующий электронный микроскоп, предназначенный для измерения критических размеров в микроэлектронике и полупроводниковой промышленности.

Scietex CD-SEM используется для контроля и измерения размеров элементов на поверхности полупроводниковых пластин, таких как ширина линий фоторезиста, ширина линий затвора, диаметры контактных отверстий и сквозных отверстий после процессов травления и других этапов производства.

6/8-дюймовый Scietex CD-SEM

Особенности:

  • Передовые системы электронной оптики и алгоритмы обработки изображений.
  • Совместимость с 6/8-дюймовыми пластинами.
  • Высокоскоростная система переноса пластин.
  • Подходит для чипов третьего поколения полупроводников

12-дюймовый Scietex CD-SEM

Особенности:

  • Точные инструменты для оценки критических размеров, передовая электронная оптика, обработка изображений и системы переноса пластин обеспечивают высокое разрешение, высокую пропускную способность и высокую повторяемость прецизионных измерений.
  • Улучшенная автоматическая калибровка обеспечивает стабильность устройства с течением времени.
  • Новая технология измерений преодолевает метрологические вызовы в разработке передовых полупроводниковых процессов.
    Обнаружение дефектов с помощью искусственного интеллекта позволяет автоматически локализовывать дефекты и определять их категории на основе извлеченных признаков изображения.
  • Автоматическое распознавание изображения повышает производительность
  • Постоянное обучение модели для достижения непрерывной оптимизации
  • Обнаружение более 50 типов дефектов с точностью до 98%

Применение

Материаловедение – анализ структуры металлов, сплавов, композитов, керамики и полимеров.

Электроника и нанотехнологии – контроль качества микросхем, нанопокрытий и микроструктур.

Металлургия и машиностроение – анализ изломов, дефектов, износа и коррозии поверхностей.

Спецификация

  1. Основной блок микроскопа
  2. Система охлаждения (чиллер) и сухая вакуумная помпа
  3. Монтаж и обучение операторов (включая удалённую поддержку при установке)
  4. Круглосуточная техническая поддержка в течение гарантийного периода (24/7)

Характеристики

Разрешение SEM

<5 нм

Ускоряющее напряжение

500 В — 1600 В

Ток пучка

3 пА — 30 пА

Диапазон измерений

0,1 ~ 2,0 мкм

Точность динамических измерений

3σ <= 2,0 нм

Производительность

20 пластин/час (5 точек/пластина)

Увеличение (Kx)

от 1 до 250

Исключение края пластины

<5 мм

Точность позиционирования стола

<±500 нм