Сканирующий электронный микроскоп Scietex CD-SEM для измерения критических размеров

CD-SEM (Critical Dimension Scanning Electron Microscope) — сканирующий электронный микроскоп, предназначенный для измерения критических размеров в микроэлектронике и полупроводниковой промышленности.

Scietex CD-SEM используется для контроля и измерения размеров элементов на поверхности полупроводниковых пластин, таких как ширина линий фоторезиста, ширина линий затвора, диаметры контактных отверстий и сквозных отверстий после процессов травления и других этапов производства.

6/8-дюймовый Scietex CD-SEM

Особенности:

• Передовые системы электронной оптики и алгоритмы обработки изображений.
• Совместимость с 6/8-дюймовыми пластинами.
• Высокоскоростная система переноса пластин.
• Подходит для чипов третьего поколения полупроводников

12-дюймовый Scietex CD-SEM

Особенности:

• Точные инструменты для оценки критических размеров, передовая электронная оптика, обработка изображений и системы переноса пластин обеспечивают высокое разрешение, высокую пропускную способность и высокую повторяемость прецизионных измерений.
• Улучшенная автоматическая калибровка обеспечивает стабильность устройства с течением времени.
• Новая технология измерений преодолевает метрологические вызовы в разработке передовых полупроводниковых процессов.
  Обнаружение дефектов с помощью искусственного интеллекта позволяет автоматически локализовывать дефекты и определять их категории на основе извлеченных признаков изображения.
• Автоматическое распознавание изображения повышает производительность
• Постоянное обучение модели для достижения непрерывной оптимизации
• Обнаружение более 50 типов дефектов с точностью до 98%

• Микроэлектроника и полупроводниковое производство — контроль критических размеров элементов микро- и наноструктур на полупроводниковых пластинах.
• Контроль процессов литографии — измерение ширины линий фоторезиста и других геометрических параметров сформированного рисунка.
• Контроль после травления — измерение ширины линий, размеров затворов, диаметров контактных и сквозных отверстий.
• Метрология полупроводниковых пластин — высокоточные и повторяемые измерения критических размеров на пластинах 6/8 и 12 дюймов.
• Контроль технологического процесса — мониторинг геометрических параметров структур на различных этапах производства полупроводниковых приборов.
• Обнаружение и классификация дефектов — автоматизированный поиск дефектов на поверхности пластин и их распознавание с применением алгоритмов искусственного интеллекта.

1. Основной блок микроскопа
2. Система охлаждения (чиллер) и сухая вакуумная помпа
3. Монтаж и обучение операторов (включая удалённую поддержку при установке)
4. Круглосуточная техническая поддержка в течение гарантийного периода (24/7)