Сканирующий электронный микроскоп Scietex W30-69 - Научные технологии и сервис
info@scietex.ru +7 499 911 90 01

Сканирующий электронный микроскоп Scietex W30-69

Сканирующий электронный микроскоп Scietex W30-69
Сканирующий электронный микроскоп Scietex W30-69
Сканирующий электронный микроскоп Scietex W30-69
Сканирующий электронный микроскоп Scietex W30-69
Сканирующий электронный микроскоп Scietex W30-69
Сканирующий электронный микроскоп Scietex W30-69
  • Тип катода: термоэмиссионный (вольфрамовый)
  • Разрешение: до 3 нм
  • Увеличение: до 300 000×
  • Ускоряющее напряжение: 0,2-30 кВ

Описание

Сканирующий электронный микроскоп с термоэмиссионным вольфрамовым катодом Scietex W30-69 обладает превосходным качеством изображения, широким спектром аксессуаров и возможностями автоматизации. Доступна версия с низким вакуумом или увеличенной рабочей камерой. Scietex W30-69 предусматривает возможность расширения аналитических возможностей системы. Микроскоп может быть оснащен энергодисперсионным рентгеновским спектрометром EDS для элементного анализа, а также дополнительными модулями и специализированными держателями образцов.

Особенности:

  1. Оптическая навигация: настройка фокуса, оптическое увеличение до 100×, быстрое позиционирование (ROI)
  2. Модуль точной многофункциональной настройки: вращение и точная настройка увеличения, настройка фокуса, регулировка яркости и контраста, электронная регулировка совмещения, коррекция астигматизма, электронная настройка смещения и т. д.
  3. Детектор вторичных электронов в низком вакууме: В режиме низкого вакуума возможно исследование ряда непроводящих образцов, например, биологических без нанесения проводящего покрытия.

Применение

Сканирующий электронный микроскоп Scietex W30-69 может использоваться для:

  • исследования морфологии и микроструктуры материалов;
  • анализа поверхности металлов и сплавов;
  • исследования покрытий и поверхностных дефектов;
  • анализа порошков, частиц и композиционных материалов;
  • исследования керамики, минералов и геологических образцов;
  • контроля микроструктуры электронных компонентов;
  • исследования полупроводниковых материалов;
  • анализа причин разрушения и дефектов;
  • проведения элементного анализа при оснащении системой EDS.

Опции

  • Катод LaB6
  • SED при низком вакууме
  • BSED при низком вакууме

Характеристики

Разрешение:

3 нм при 30 кВ

8 нм при 3 кВ (SE)

4 нм при 30 кВ (BSE)

Увеличение:

1× — 300 000×

Функция низкого вакуума:

Уровень вакуума 10-270 Па

Электронная пушка:

Преднастроенная вольфрамовая нить

Ускоряющее напряжение

0,2-30 кВ

Вакуумная система:

Турбомолекулярный насос + механический насос

Детекторы:

Детектор вторичных электронов

Полупроводниковый BSE-детектор

Инфракрасная CCD-камера

Координатный стол:

W30-69LV: 5-осевой стол, Диапазон перемещения: X=80 мм, Y=50 мм, Z=30 мм, R=360°

T=-5°~+70°

W30-69L: 5-осевой стол, Диапазон перемещения: X=150мм, Y=150мм, Z=65мм, R=360°

T=-10°~+90°

Характеристики образца:

Макс. диаметр: 175мм

Макс. высота: 40мм

Дополнительные аксессуары EDS, EBSD, STEM, CL, EBL и т.д.

Стенд нагрева, охлаждения, растяжения и т.д.