Сканирующие электронные микроскопы
Сканирующий электронный микроскоп SEM Scietex F30 и F30H
- Тип катода: Термополевой типа Шоттки
- Разрешение: 0,9 нм при 30 кВ (SE), 1,4 нм при 15 кВ (BSE)
- Увеличение: 1× – 2 000 000×
- Ускоряющее напряжение: 0,02-30 кВ
Сканирующий электронный микроскоп Scietex W30-69
- Тип катода: термоэмиссионный (вольфрамовый)
- Разрешение: до 3 нм
- Увеличение: до 300 000×
- Ускоряющее напряжение: 0,2-30 кВ
Сканирующий электронный микроскоп SEM Scietex F12
- Тип катода: Автоэмиссионный термополевой типа Шоттки
- Разрешение: 1,5 нм при 1 кВ, 1,3 нм при 3 кВ
- Увеличение: 500× – 600 000×
- Ускоряющее напряжение: 0,1–12 кВ
Сканирующий электронный микроскоп Scietex CD-SEM для измерения критических размеров
- Разрешение: < 5 нм
- Увеличение: 1× – 250 000×
- Ускоряющее напряжение: 0,5 кB - 1,6 кB
- Диапазон измерений: 0,1 - 2,0 мкм
Сканирующий (растровый) электронный микроскоп (СЭМ, англ. SEM — Scanning Electron Microscope) - это аналитический прибор для исследования поверхности и микроструктуры материалов с высоким пространственным разрешением. Изображение формируется при сканировании образца сфокусированным электронным пучком и регистрации возникающих сигналов. В зависимости от комплектации СЭМ позволяет изучать рельеф и морфологию поверхности, получать композиционный контраст, определять элементный состав и исследовать кристаллографические характеристики материалов.
Сканирующий электронный микроскоп применяется в материаловедении, металлургии, микроэлектронике, геологии, химии, биологии, нанотехнологиях, научных исследованиях и промышленном контроле качества. Возможности системы определяются типом источника электронов, пространственным разрешением, диапазоном ускоряющих напряжений, вакуумным режимом, конструкцией камеры и набором установленных детекторов.
Аналитические возможности СЭМ
Современный сканирующий электронный микроскоп может решать значительно более широкий круг задач, чем получение изображения поверхности. Конфигурация системы определяется набором установленных детекторов и аналитических модулей.
Для визуализации рельефа используют детекторы вторичных электронов SE. Детекторы обратнорассеянных электронов BSE позволяют получать контраст, связанный с составом и структурой материала.
Для определения элементного состава микроскоп может быть оснащен системой энергодисперсионного рентгеновского микроанализа EDS. Система EBSD применяется для анализа кристаллографической структуры, ориентации зерен и фазового состава.
Комплектация подбирается индивидуально, поэтому одна и та же базовая модель может быть адаптирована под исследовательскую лабораторию, промышленный контроль или специализированные аналитические задачи.
Выбор сканирующего электронного микроскопа Scietex
Выбор сканирующего электронного микроскопа определяется прежде всего масштабом исследуемых структур и типом данных, которые необходимо получать.
Scietex предлагает несколько классов систем для решения задач — от стандартной лабораторной микроскопии до высокоразрешающих и специализированных измерений.
Scietex W30-69 — универсальный СЭМ с вольфрамовым катодом для широкого спектра задач материаловедения и промышленного анализа. Он может использоваться для исследования микроструктуры металлов и сплавов, анализа изломов, покрытий, минералов, частиц и технологических дефектов.
Scietex F30 / F30H — автоэмиссионные системы с катодом типа Шоттки, ориентированные на получение высокоразрешающих изображений и исследование мелких структурных элементов. Такой класс оборудования востребован при работе с наноматериалами, функциональными покрытиями, полупроводниковыми структурами и другими объектами, где возможности вольфрамового СЭМ становятся ограничивающим фактором.
Scietex F12 сочетает высокоразрешающую электронную оптику с высокой скоростью получения изображений и развитой автоматизацией. Система подходит для задач, связанных с большим количеством областей анализа или интенсивным потоком образцов.
Scietex CD-SEM предназначен для специализированного метрологического контроля в микроэлектронике — прежде всего измерения критических размеров элементов полупроводниковых структур.
Проектирование и оснащение лаборатории
При установке сканирующего электронного микроскопа важно учитывать не только характеристики прибора, но и условия его размещения. На стабильность изображения могут влиять вибрации, электромагнитные поля, температура, требования к инженерным коммуникациям и организация рабочего пространства.
При реализации проекта специалисты компании ООО «Научные технологии и сервис» помогают подобрать конфигурацию оборудования и учитывать требования к месту установки еще до поставки системы.
В состав работ могут входить обследование помещения, подготовка технического решения, поставка, монтаж, пусконаладка и обучение операторов.
Компания осуществляет поставку сканирующих электронных микроскопов и комплексных решений для электронной микроскопии по России и СНГ.
Цена сканирующего электронного микроскопа
Стоимость сканирующего электронного микроскопа формируется исходя из технической конфигурации системы.
На нее влияют тип источника электронов, характеристики электронной колонны, вакуумная система, камера и столик образцов, детекторы, наличие EDS и EBSD, дополнительные аналитические модули, программное обеспечение и вспомогательное оборудование.
Поэтому корректно сравнивать не только базовую цену микроскопа, а стоимость системы, которая обеспечивает требуемые методы исследования.
Вы можете отправить запрос коммерческого предложения на выбранную модель или предоставить описание образцов и задач. Специалисты компании помогут подобрать модель и техническую конфигурацию СЭМ под исследуемые образцы, методы анализа и требования лаборатории и подготовят коммерческое предложение.